Transistor bipolari di potenza in package DFN BJT

I transistor bipolari di potenza in package DFN BJT di Nexperia offrono un fattore di forma ridotto che utilizza circa il 75% in meno di spazio sulla scheda e consente una maggiore flessibilità di progettazione. Questi transistor bipolari presentano induttanza e capacità parassite ridotte con una resistenza termica migliorata e bassa, consentendo una maggiore affidabilità. I componenti BJT sono ideali per applicazioni in cui lo spazio è scarso. Le applicazioni includono dispositivi mobili, dispositivi indossabili, sensori automotive e moduli fotocamera.

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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Configurazione
Corrente CC massima collettore
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione base-collettore VCBO
Tensione emettitore-base VEBO
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Pd - Dissipazione di potenza
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT
Temperatura di lavoro minima
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Qualifica
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Nexperia Transistor bipolari - BJT SOT1061 80V 1A PNP MEDPWR BJT
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SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 1 A 80 V 100 V 5 V 500 mV 420 mW 145 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 NPN Single 2 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.65 W 180 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
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Nexperia Transistor bipolari - BJT SOT1061 20V 2A PNP MEDPWR BJT
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 2 A 20 V 32 V 5 V 600 mV 420 mW 140 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor bipolari - BJT SOT1061 30V 3A NPN BJT
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 NPN Single 30 V 50 V 6 V 220 mV 2.5 W 210 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor bipolari - BJT BC55-10PA/SOT1061/HUSON3
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Si SMD/SMT DFN-2020-3 NPN Single 1 A 60 V 60 V 5 V 500 mV 420 mW 180 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel