VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes

Vishay Semiconductors VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes are infrared, 850nm emitting diodes based on GaAlAs surface emitter chip technology. Vishay Semiconductors VSLY850 High Speed IR Emitting Diodes have extreme high radiant intensity, high optical power, high speed, and are molded in clear, untinted plastic packages. The VSLY3850 comes in a T-1 plastic package, and the VSLY5850 also has a parabolic lens.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Lunghezza d'onda
Intensità radiante
Angolo del fascio
If - Corrente diretta
Vf - Tensione diretta
Potenza nominale
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Confezione
Vishay Semiconductors Trasmittenti a infrarossi 850nm,T-1.75 600mW/sr,+/-3deg.
Scheda dati
8.971A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole 850 nm 600 mW/sr 3 deg 100 mA 1.65 V 190 mW - 40 C + 85 C Bulk
Vishay Semiconductors Trasmittenti a infrarossi 850nm, T-1 70mW/sr, +/-18deg.
Scheda dati
6.084A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole 850 nm 70 mW/sr 18 deg 100 mA 1.65 V 190 mW - 40 C + 85 C Bulk