NCV57001DWR2G

onsemi
863-NCV57001DWR2G
NCV57001DWR2G

Produttore:

Descrizione:
Gate driver isolati galvanicamente IGBT gate driver

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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: Gate driver isolati galvanicamente
RoHS::  
NCV57001
SMD/SMT
SOIC-16
- 40 C
+ 125 C
1.4 W
90 ns
10 ns
15 ns
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: onsemi
Configurazione: Inverting, Non-Inverting
Ritardo di spegnimento massimo: 90 ns
Ritardo di accensione massimo: 90 ns
Numero di driver: 1 Driver
Numero di uscite: 1 Output
Corrente di alimentazione operativa: 4.8 mA
Corrente di uscita: 4 A
Prodotto: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo di prodotto: Galvanically Isolated Gate Drivers
Quantità colli di fabbrica: 1000
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tensione di alimentazione - Max.: 5 V
Tensione di alimentazione - Min.: 3.3 V
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Attributi selezionati: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Accoppiamento dei driver di porta con MOSFET EliteSiC

Le applicazioni di infrastruttura energetica come ricarica di veicoli elettrici, accumulo di energia, sistemi di continuità (UPS) e solare stanno spingendo i livelli di potenza del sistema a centinaia di kilowatt e persino megawatt. Queste applicazioni ad alta potenza impiegano topologie a semiponte, ponte completo e trifase con cicli di lavoro fino a sei interruttori per inverter e BLDC. A seconda del livello di potenza e delle velocità di commutazione, i progettisti di sistemi considerano varie tecnologie di commutazione, tra cui silicio, IGBT e SIC, per adattarsi al meglio ai requisiti applicativi.

Driver di porta ad alta corrente isolati galvanicamente

I driver di porta ad alta corrente isolati galvanicamente di onsemi offrono un'alta immunità del transitorio e immunità elettromagnetica. NCx5700x è un driver IGBT a canale singolo a corrente elevata con isolamento galvanico interno, progettato per garantire al sistema un'efficienza e un'affidabilità elevate in applicazioni ad alta potenza. I driver dispongono di ingressi complementari, GUASTO a drain aperto, uscite pronte, morsetto Miller attivo, UVLO accurato, protezione DESAT, spegnimento graduale a DESAT, uscite driver separate alte e basse (OUTH e OUTL) per comodità di progettazione del sistema. NCx5700x ospita i segnali 5 V e 3,3 V sul lato ingresso e un ampio intervallo di tensione di polarizzazione sul lato driver, compresa la capacità di tensione negativa. Questi dispositivi onsemi forniscono un'isolamento galvanico >5kVRMS (valutazione UL1577) e capacità diIORM >1200 V (tensione di lavoro). La serie NCx5700x è disponibile nel package a corpo largo SOIC-16 con una distanza di dispersione garantita di 8 mm tra ingresso e uscita per soddisfare i requisiti di isolamento di sicurezza rinforzato.

NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Drivers

onsemi NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Drivers with internal galvanic isolation are designed for high system efficiency and reliability in high-power applications. The NCV57001's features include complementary inputs, open drain FAULT, Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, and soft turn-off at DESAT. The device allows both 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. The device provides >5kVrms (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200Viorm (working voltage) capabilities. The NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Driver is packaged to fulfill reinforced safety insulation requirements. The device is offered in a wide-body SOIC-16 package with a guaranteed 8mm creepage distance between input and output.