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NCV57001DWR2G

Name: onsemi NCV57001DWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV57001DWR2G
Price: 4.45 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NCV57001DWR2G

N. produttore:

NCV57001DWR2G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Gate driver isolati galvanicamente IGBT gate driver

Scheda dati:

NCV57001DWR2G Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

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Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	4,45 €	4,45 €
	3,35 €	33,50 €
	3,09 €	77,25 €
	2,74 €	274,00 €
	2,64 €	660,00 €
	2,38 €	1.190,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	2,22 €	2.220,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Gate driver isolati galvanicamente
RoHS::
Serie:	NCV57001
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOIC-16
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.4 W
Ritardo propagazione - Max:	90 ns
Tempo di salita:	10 ns
Tempo di caduta:	15 ns
Qualifica:	AEC-Q100
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Inverting, Non-Inverting
Ritardo di spegnimento massimo:	90 ns
Ritardo di accensione massimo:	90 ns
Numero di driver:	1 Driver
Numero di uscite:	1 Output
Corrente di alimentazione operativa:	4.8 mA
Corrente di uscita:	4 A
Prodotto:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo di prodotto:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tensione di alimentazione - Max.:	5 V
Tensione di alimentazione - Min.:	3.3 V

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Scheda dati

NCV57001DWR2G Scheda dati

Codici di conformità

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Filippine
Paese di origine dell'assemblaggio:: Filippine
Paese di diffusione:: Stati Uniti d'America

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Accoppiamento dei driver di porta con MOSFET EliteSiC

Le applicazioni di infrastruttura energetica come ricarica di veicoli elettrici, accumulo di energia, sistemi di continuità (UPS) e solare stanno spingendo i livelli di potenza del sistema a centinaia di kilowatt e persino megawatt. Queste applicazioni ad alta potenza impiegano topologie a semiponte, ponte completo e trifase con cicli di lavoro fino a sei interruttori per inverter e BLDC. A seconda del livello di potenza e delle velocità di commutazione, i progettisti di sistemi considerano varie tecnologie di commutazione, tra cui silicio, IGBT e SIC, per adattarsi al meglio ai requisiti applicativi.

NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Drivers

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Driver di porta ad alta corrente isolati galvanicamente

I driver di porta ad alta corrente isolati galvanicamente di onsemi offrono un'alta immunità del transitorio e immunità elettromagnetica. NCx5700x è un driver IGBT a canale singolo a corrente elevata con isolamento galvanico interno, progettato per garantire al sistema un'efficienza e un'affidabilità elevate in applicazioni ad alta potenza. I driver dispongono di ingressi complementari, GUASTO a drain aperto, uscite pronte, morsetto Miller attivo, UVLO accurato, protezione DESAT, spegnimento graduale a DESAT, uscite driver separate alte e basse (OUTH e OUTL) per comodità di progettazione del sistema. NCx5700x ospita i segnali 5 V e 3,3 V sul lato ingresso e un ampio intervallo di tensione di polarizzazione sul lato driver, compresa la capacità di tensione negativa. Questi dispositivi onsemi forniscono un'isolamento galvanico >5kV_RMS (valutazione UL1577) e capacità di_IORM >1200 V (tensione di lavoro). La serie NCx5700x è disponibile nel package a corpo largo SOIC-16 con una distanza di dispersione garantita di 8 mm tra ingresso e uscita per soddisfare i requisiti di isolamento di sicurezza rinforzato.