Risultati: 4
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Wolfspeed Moduli MOSFET SiC, Module, 3.3mohm, 650V, TM, Automotive
Scheda dati
30013/11/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 650 V 440 A 4.1 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Moduli MOSFET SiC, Module, 3.3mohm, 650V, TM, Automotive, Long Phase Terminals
Scheda dati
30013/11/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 650 V 440 A 4.1 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Moduli MOSFET SiC, Module, 4.6mohm, 1200V, TM, Automotive
Scheda dati
30027/11/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 1.2 kV 320 A 6.3 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Moduli MOSFET SiC, Module, 4.6mohm, 1200V, TM, Automotive, Long Phase Terminals
Scheda dati
300In ordine
Min: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 1.2 kV 320 A 6.3 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C