MOSFET N-Channel BUK7Q nel package MLPAK33-WF

I MOSFET N-Channel BUK7Q di Nexperia nel package MLPAK33-WF (SOT8002-3D) utilizzano la tecnologia Trench 9. Qualificati per soddisfare i requisiti AEC-Q101 a 175°C, offrono un ingombro ridotto per progetti compatti. Nexperia BUK7Q è dotato di fianchi bagnabili lateralmente che garantiscono giunzioni di saldatura robuste e ispezione ottica automatizzata.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Nexperia MOSFET BUK7Q4R9-40H/SOT8002/MLPAK33 600A magazzino
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 4.9 mOhms 20 V 3.6 V 29 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET BUK7Q6R0-40H/SOT8002/MLPAK33 600A magazzino
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 73 A 6 mOhms 20 V 3.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET BUK7Q7R5-40H/SOT8002/MLPAK33 600A magazzino
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 55 A 7.5 mOhms 20 V 3.6 V 17 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET BUK7Q8R4-40H/SOT8002/MLPAK33 350A magazzino
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Si SMD/SMT MLPAK33-WF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 57 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 16 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET BUK7Q9R5-40H/SOT8002/MLPAK33 350A magazzino
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Si SMD/SMT MLPAK33-WF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 51 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 14 nC - 55 C + 175 C 47 W Enhancement Reel, Cut Tape