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Induttori di potenza semi-schermati SRN2012T
Gli induttori di potenza semi-schermati SRN2012T di Bourns sono costruiti con un rivestimento epossidico magnetico sul perimetro dell'avvolgimento dell'induttore. Questo design fornisce una migliore schermatura, in quanto rilascia un livello inferiore di radiazioni del campo magnetico rispetto agli induttori non schermati. Tra le altre caratteristiche vi sono alta induttanza, bassa DCR, alta frequenza auto-risonante e alto Q. Gli induttori di potenza semi-schermati SRN2012T di Bourns sono disponibili in un piccolo package da 2 mm x 1,2 mm x 1,2 mm con un intervallo delle temperature di funzionamento compreso tra -40 °C e +125 °C. Le applicazioni ideali sono l'elaborazione del segnale RF, circuiti risonanti, filtri di disaccoppiamento e antirumore per cuffie audio, modem via cavo, set-top box, unità disco rigido, tablet e dispositivi elettronici mobili.