30V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12VIN / 1V to 3VOUT DC-DC synchronous buck converter applications. 

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Nome commerciale Confezione
Infineon Technologies MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC 5.601A magazzino
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 161 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 16.231A magazzino
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 13.517A magazzino
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.5 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS Dual power MOSFET 30V 468A magazzino
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Si SMD/SMT DSO-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 8.1 A, 8.4 A 22 mOhms, 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 8.9 nC, 7.2 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 30V 3.2A 100mOhm 6.4nC LogLvl 5.895A magazzino
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Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3.2 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 1.065A magazzino
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Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl 65.663A magazzino
465.050In ordine
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1.2 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg
7.45616/02/2026 previsto
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 30 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 Tempo di consegna 15 settimane
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 33 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel