MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 80 V per il settore automotive

I MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche OptiMOS™ 7 80V di Infineon Technologies sono realizzati con la tecnologia all'avanguardia di Infineon nel campo dei semiconduttori di potenza. Questi MOSFET sono progettati specificamente per le alte prestazioni, la qualità e la robustezza necessarie per le impegnative applicazioni del settore automobilistico. I MOSFET OptiMOS™ 7 da 80 V funzionano con una tensione di sorgente del gate di ±20 VGS e un intervallo di temperatura da -55 °C a 175 °C. Questi MOSFET sono disponibili nel package SMD SSO10T 5x7mm2 raffreddato nella parte superiore. Il package SSO10T aiuta gli utenti a ottenere progressi nel raffreddamento e nella densità di potenza. I 80 V MOSFET di potenza sono valutati MSL-1, conformi a RoHS e 100% testati contro le valanghe. Questi MOSFET di potenza sono ideali per applicazioni per il settore automobilistico generiche.

Risultati: 15
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Scheda dati
5.451A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.3 mOhms 16 V 2 V 44.3 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
Scheda dati
2.995A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 80 V 129 A 3.6 mOhms 20 V 3.2 V 36 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Scheda dati
1.465A magazzino
10.00002/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 293 A 1.26 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 219 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Scheda dati
4.134A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 210 A 1.8 mOhms 20 V 2 V 79.9 nC - 55 C + 175 C 169 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Scheda dati
4.403A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 177 A 2.4 mOhms 16 V 2 V 65.2 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Scheda dati
2.443A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 130 A 3.3 mOhms 16 V 2 V 44.3 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Scheda dati
2.286A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms 20 V 3.2 V 27.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Scheda dati
4.341A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.9 mOhms 16 V 2 V 10.9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Scheda dati
2.932A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 76 A 7.8 mOhms 20 V 3.2 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Scheda dati
1.939A magazzino
5.00003/12/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 35 A 17.7 mOhms 16 V 2 V 11.8 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Scheda dati
5.284A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-2 N-Channel 1 Channel 80 V 223 A 1.94 mOhms 20 V 3.2 V 68 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T
Scheda dati
5.387A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-1 N-Channel 1 Channel 80 V 186 A 2.44 mOhms 20 V 3.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 157 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Scheda dati
5.322A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-1 N-Channel 1 Channel 80 V 103 A 4.54 mOhms 20 V 3.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 98 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Scheda dati
Tempo di consegna 26 settimane
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 1 Channel 80 V 262 A 1.63 mOhms 20 V 3.2 V 83 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 TOLL Automotive Power MOSFET, 80 V
Scheda dati
2.00009/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 539 A 0.75 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 195 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape