MOSFET di potenza da 40 V

I MOSFET di potenzaOnsemi 40 V funzionalità di tecnologia standard a livello di gate e vantano la migliore resistenza di conduzione della categoria. I MOSFET di Onsemi sono progettati per applicazioni di driver per motori. I dispositivi minimizzano efficacemente le perdite di conduzione e pilotaggio con una minore resistenza in conduzione e una carica del gate ridotta. Inoltre, i MOSFET forniscono un eccellente controllo della malleabilità per il recupero inverso del diodo del corpo, riducendo in tal modo lo stress dei picchi di tensione, ovviando alla necessità di implementazione di un circuito snubber aggiuntivo nelle applicazioni.

Risultati: 14
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 2.962A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 133 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 1.144A magazzino
1.50008/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 455 A 490 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 127 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 6.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86.4 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V T10S IN S08FL PACKAGE 1.195A magazzino
1.50027/01/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 278 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 70 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 2.852A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 273 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 2.508A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 233 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 6.600A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 195 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL 7.154A magazzino
13.500In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 1.500
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 201 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 39 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 5.923A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 111 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 22.1 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10S IN S08FL PACKAGE 1.111A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 349 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 96 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL 147A magazzino
16.500In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 181 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 53 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 1.343A magazzino
1.50023/06/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 15.6 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL 110A magazzino
3.00029/01/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
10.50028/04/2026 previsto
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Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 414 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 97.5 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement Reel, Cut Tape