S29GL128S10TFIV20

Infineon Technologies
797-29GL128S10TFIV20
S29GL128S10TFIV20

Produttore:

Descrizione:
NOR Flash 128Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash

Modello ECAD:
Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

A magazzino: 585

A magazzino:
585 Spedizione immediata
Tempo di consegna da parte della fabbrica:
16 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.
Minimo: 1   Multipli: 1
Prezzo Unitario:
-,-- €
Prezzo esteso:
-,-- €
Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
6,79 € 6,79 €
6,31 € 63,10 €
6,12 € 153,00 €
5,98 € 299,00 €
5,84 € 584,00 €
5,65 € 1.412,50 €
5,50 € 2.750,00 €
5,37 € 4.886,70 €
2.730 Offerta

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Infineon
Categoria prodotto: NOR Flash
RoHS::  
SMD/SMT
TSOP-56
S29GL128S
128 Mbit
2.7 V
3.6 V
60 mA
Parallel
8 M x 16
16 bit
Asynchronous
- 40 C
+ 85 C
Tray
Marchio: Infineon Technologies
Sensibili all’umidità: Yes
Tipo di prodotto: NOR Flash
Velocità: 100 ns
Quantità colli di fabbrica: 910
Sottocategoria: Memory & Data Storage
Nome commerciale: MirrorBit
Prodotti trovati:
Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo
Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.
Attributi selezionati: 0

Codici di conformità
TARIC:
8542326100
CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320312
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8471600499
ECCN:
3A991.b.1.a
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Stati Uniti d'America
Paese di origine dell'assemblaggio:
Thailandia
Paese di diffusione:
Cina
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

S29GL128P NOR Flash Memory

Infineon Technologies S29GL128P NOR Flash Memory devices are single 3V read and write MIRRORBIT™ flash products fabricated on 90nm process technology. These devices offer a fast page access time of 25ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. Features of the Infineon S29GL128P include a Write Buffer that allows a maximum of 32words/64B to be programmed in one operation. These devices are ideal for embedded applications that require high density, better performance, and low power consumption.