MOSFET di potenza RS7

I MOSFET di potenza RS7 di ROHM Semiconductor sono progettati per prestazioni ad alta efficienza in azionamenti motori, applicazioni di commutazione e convertitori CC/CC. Dotati di bassa resistenza, di un robusto pacchetto DFN5060T8LSHAAE ad alta potenza e di placcatura senza piombo, questi MOSFET RS7 di ROHM semiconduttori sono conformi alla normativa RoHS e sono esenti da alogeni. Ogni unità viene sottoposta al 100% di test Rg e UIS per garantire affidabilità e prestazioni superiori.

Risultati: 8
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 200A N-CH
Scheda dati
1.743A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500
Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 4 mOhms 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 150V 125A N-CH
Scheda dati
1.748A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500
Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 8.3 mOhms 20 V 4 V 49 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 30V 390A
Scheda dati
2.365A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN5060-8S N-Channel 1 Channel 30 V 390 A 670 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 80V 160A
Scheda dati
2.487A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN5060-8S N-Channel 1 Channel 80 V 160 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 73 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 80V 230A
Scheda dati
1.929A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN5060-8S N-Channel 1 Channel 80 V 230 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 92 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 40V 410A
Scheda dati
2.50026/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 410 A 640 uOhms 20 V 2.5 V 145 nC - 55 C + 175 C 216 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN5060 N-CH 40V 445A
Scheda dati
2.50026/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 445 A 650 uOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 216 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 150A N-CH
Scheda dati
2.50009/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 74 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape