MOSFET di potenza MDmesh™ II

I MOSFET di potenza STMicroelectronics MDmesh™ II associano una struttura verticale alla disposizione a striscia degli STM per ottenere uno dei più bassi valori di resistenza in conduzione e carica del gate nel settore, caratteristica che li rende idonei ai più esigenti convertitori ad alta efficienza. Questi MOSFET di potenza MDmesh™ II sono totalmente isolati, hanno un integrato di profilo basso, con una maggiore distanza superficiale dal piedino alla piastra del dissipatore. Sono testati al 100% con il metodo avalanche e presentano bassi valori di capacitanza in entrata, carica del gate e resistenza in entrata al gate.
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STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
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Mult.: 3.000
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
Nastrati: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 2.000
Mult.: 1.000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 2.000
Mult.: 1.000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 600
Mult.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4