MOSFET di potenza MDmesh™ II

I MOSFET di potenza STMicroelectronics MDmesh™ II associano una struttura verticale alla disposizione a striscia degli STM per ottenere uno dei più bassi valori di resistenza in conduzione e carica del gate nel settore, caratteristica che li rende idonei ai più esigenti convertitori ad alta efficienza. Questi MOSFET di potenza MDmesh™ II sono totalmente isolati, hanno un integrato di profilo basso, con una maggiore distanza superficiale dal piedino alla piastra del dissipatore. Sono testati al 100% con il metodo avalanche e presentano bassi valori di capacitanza in entrata, carica del gate e resistenza in entrata al gate.
Maggiori informazioni

Tipi di Semiconduttori discreti

Modifica visualizzazione categoria
Risultati: 128
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Tipo di prodotto Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
1.98821/05/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 61A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p 860A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag 113A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa 479A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra 916A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 903A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 127A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead 68A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
1.00005/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1.95026/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package Tempo di consegna 26 settimane
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2 Tempo di consegna 26 settimane
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 600
Mult.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000
MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 Tempo di consegna 24 settimane
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8