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CGHV59070F

Name: MACOM CGHV59070F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV59070F
Price: 690.02 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

941-CGHV59070F

N. produttore:

CGHV59070F

Produttore:

MACOM

Descrizione:

GaN FETs GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt

Scheda dati:

CGHV59070F Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	690,02 €	690,02 €
	606,64 €	6.066,40 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	MACOM
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	440224
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	6.3 A
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Marchio:	MACOM
Guadagno:	14 dB
Frequenza di lavoro massima:	5.9 GHz
Frequenza di lavoro minima:	4.4 GHz
Potenza di uscita:	76 W
Confezione:	Tray
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	25
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tensione di rottura gate-source:	- 10 V, 2 V
Peso unità:	7,797 g

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Scheda dati

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CGHV59070 70W RF Power GaN HEMT

MACOM CGHV59070 RF Power Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) provides a general-purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. Operating from a 50V rail, the module delivers high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. This 70W internally matched GaN HEMT is ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CGHV59070 70W RF Power GaN HEMT is offered in a 440224 package.