NXH020U90MNF2PTG

onsemi
863-NXH020U90MNF2PTG
NXH020U90MNF2PTG

Produttore:

Descrizione:
Moduli MOSFET PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER

Modello ECAD:
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onsemi
Categoria prodotto: Moduli MOSFET
RoHS::  
SiC
Press Fit
N-Channel
900 V
149 A
14 mOhms
- 8 V, + 18 V
4.3 V
- 40 C
+ 150 C
352 W
NXH020U90MNF2
Tray
Marchio: onsemi
Configurazione: Dual Common Source
Tempo di caduta: 12.8 ns
Tipo di prodotto: MOSFET Modules
Tempo di salita: 19.8 ns
Quantità colli di fabbrica: 20
Sottocategoria: Discrete and Power Modules
Nome commerciale: EliteSiC
Tipo: SiC MOSFET Module
Ritardo di spegnimento tipico: 110 ns
Tipico ritardo di accensione: 43.2 ns
Vf - Tensione diretta: 2.3 V
Vr - Tensione inversa: 1.2 kV
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Attributi selezionati: 0

Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Cina
Paese di diffusione:
Repubblica di Corea
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Moduli al carburo di silicio (SiC) NXH020U90MNF2

I moduli al carburo di silicio (SiC) NXH020U90MNF2 di Onsemi   sono moduli SiC Vienna con 2 interruttori MOSFET SiC da 10 mohm 900 V. I dispositivi Onsemi includono inoltre 2 diodi SiC da 100 A 1200 V e un termistore. NXH020U90MNF2 è alloggiato in un package F2. Gli interruttori MOSFET SiC utilizzano la tecnologia M2 e sono pilotati con un gate drive da 15 V a 18 V.

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