600V/650V CoolMOS™ CE N-Ch Power MOSFETs

Infineon 600V/650V CoolMOS™ CE N-Channel Power MOSFETs are designed according to the superjunction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. These 600V/650V CoolMOS™ MOSFETs are cost optimized to meet typical requirements in consumer with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still been price attractive. These devices target low power chargers for mobile devices and power tools, LCD, LED TV and LED lighting applications.

Risultati: 27
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 2.929A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.6 A 7.96 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 197A magazzino
4.50009/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 43.1 W Enhancement CoolMOS Tube