QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt

NI-650 N-Channel
Qorvo GaN FETs 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W
Qorvo GaN FETs DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm

SMD/SMT Die N-Channel 32 V 1.7 A - 65 C + 150 C 34.5 W
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz

Screw Mount NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W
Qorvo GaN FETs 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W
Qorvo T1G4020036-FL
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt

NI-650 N-Channel