QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN
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NI-360 N-Channel 28 V 12 A - 7 V, + 2 V - 2.9 V 144 W
Qorvo GaN FETs DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN
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SMD/SMT DIE N-Channel 80 mA - 40 C + 85 C 8.9 W
Qorvo GaN FETs 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
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SMD/SMT QFN-16 32 V 250 mA - 40 C + 85 C
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
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Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
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NI-650 N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
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SMD/SMT NI-360 N-Channel 36 V 12 A 117 W
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
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SMD/SMT N-Channel 36 V 12 A 117 W
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
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Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
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Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
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Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
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Screw Mount NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W
Qorvo GaN FETs DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
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SMD/SMT Die N-Channel 32 V 1.7 A - 65 C + 150 C 34.5 W
Qorvo GaN FETs 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
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SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W
Qorvo GaN FETs 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
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Mult.: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
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SMD/SMT NI-360 N-Channel 32 V 7.32 A - 40 C + 85 C 86 W
Qorvo T1G4020036-FL
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
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Mult.: 25

NI-650 N-Channel