QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

Risultati: 34
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza
Qorvo GaN FETs DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz 374A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SMD/SMT NI-200 N-Channel 650 mA 12.5 W
Qorvo GaN FETs DC-3.6GHz GaN 90W 48V 17A magazzino
10018/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo GaN FETs DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN 25A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged 48A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

NI-200
Qorvo GaN FETs 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr 29A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-20 32 V 1.8 A
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless 15A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

NI-200
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN 48A magazzino
5009/09/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 400 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 13.5 W
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN 123A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

NI-200
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN 65A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 28 V 12 A - 7 V, + 2 V - 2.9 V - 40 C + 85 C 144 W
Qorvo GaN FETs DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN 29A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN FETs 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V 95A magazzino
70027/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN 9A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 45W GaN 48V
500In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W
Qorvo GaN FETs DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
7527/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN FETs 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
1.55019/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
Qorvo GaN FETs .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
35527/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-EP-16 N-Channel 32 V 557 mA 15.3 W
Qorvo GaN FETs DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1927/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
10003/08/2026 previsto
Min: 100
Mult.: 100

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
4020/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 32 V 250 mA - 40 C + 85 C
Qorvo GaN FETs 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 18
Mult.: 18

SMD/SMT RF-565 N-Channel 50 V 15 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 370 W
Qorvo GaN FETs DC-2.7GHz 150W PAE 64.8% Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 100
Mult.: 100
: 100

SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1.7 A - 40 C + 85 C 67 W
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 100
Mult.: 100

NI-360 N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 100
Mult.: 100

Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB Tempo di consegna 16 settimane
Min: 50
Mult.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN Tempo di consegna, se non a magazzino 20 settimane
Min: 5
Mult.: 5

SMD/SMT DIE N-Channel 80 mA - 40 C + 85 C 8.9 W