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MCU1K4N95SH-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCU1K4N95SH-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCU1K4N95SH-TP
Price: 2.23 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

833-MCU1K4N95SH-TP

N. produttore:

MCU1K4N95SH-TP

Produttore:

Micro Commercial Components (MCC)

Descrizione:

MOSFET N-CHANNEL MOSFET,DPAK

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

MCU1K4N95SH-TP Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,23 €	2,23 €
	1,43 €	14,30 €
	0,972 €	97,20 €
	0,809 €	404,50 €
	0,712 €	712,00 €
	0,701 €	1.752,50 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 5000)
	0,701 €	3.505,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-252-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	950 V
Id - corrente di drain continua:	5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.49 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	16 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	83 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Micro Commercial Components (MCC)
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	26 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	15 ns
Quantità colli di fabbrica:	5000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	19 ns
Tipico ritardo di accensione:	22 ns

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Scheda dati

MCU1K4N95SH-TP Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza Super-Junction a canale N MCU1K4N95SH

Il MOSFET di potenza Super-Junction a canale N MCU1K4N95SH di Micro Commercial Components (MCC) soddisfa le sfide della progettazione ad alta tensione. Questo MOSFET Super-Chone (SJ) presenta una bassa carica gate-to-drain, riducendo significativamente le perdite di conduzione e amplificando l’efficienza complessiva. La tecnologia SJ e la resistenza in conduzione di 1,49Ω consentono agli ingegneri di progettare per tensioni nominali più elevate senza compromettere le prestazioni. Un package DPAK (TO-252) aggiunge solo alla versatilità del MOSFET, caratteristica che lo rende ideale per alimentatori CA-CC, illuminazione a LED, adattatori di carica, dispositivi solari/energetici e altre applicazioni ad alta tensione in diversi settori.