MOSFET a 7 pin di tipo Trench SiC sct3xxx KW7 SCTxxxaw7kyosct3xxx

I MOSFET a 7 pin Trench SiC SCT3xxxaw7kyosct3xxxKW7 di ROHM Semiconductor utilizzano una struttura proprietaria del gate trench per ridurre la resistenza in conduzione del 50% e la capacità di ingresso del 35% rispetto ai MOSFET SiC di tipo planare. I MOSFET includono un pin aggiuntivo che separa i pin driver dai pin di alimentazione, eliminando gli effetti del componente di induttanza nella riduzione dei Vgs, garantendo velocità di commutazione più rapide. I MOSFET Trench di ROHM Semiconductor presentano un'elevata resistenza alla tensione, bassa resistenza in conduzione, velocità di commutazione rapida, facilità di azionamento e facilità di collegamento in parallelo.