MOSFET per il settore automobilistico OptiMOS®-P2

I MOSFET per il settore automobilistico OptiMOS®-P2 di Infineon Technologies offrono una gamma completa di MOSFET di potenza per il settore automobilistico a canale P con tecnologia OptiMOS-P2 e Gen5. I MOSFET per il settore automobilistico sono qualificati AEC e supportano una temperatura di funzionamento di 175°C. I MOSFET per il settore automobilistico OptiMOS-P2 di Infineon sono disponibili nei package DPAK, D2PAK, A220, A262 e SO8.

Risultati: 15
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 3.959A magazzino
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Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 13 mOhms - 16 V, 5 V 1.5 V 42 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 5.936A magazzino
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Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 P-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.9 mOhms - 16 V, 5 V 3 V 158 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 823A magazzino
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Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3-2 P-Channel 1 Channel 40 V 120 A 4 mOhms - 16 V, 5 V 3 V 180 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 3.340A magazzino
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Si SMD/SMT TO-263-7 P-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 190 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 1.164A magazzino
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Si SMD/SMT TO-263-7 P-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.6 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 220 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 5.700A magazzino
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Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 9.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 6.002A magazzino
10.00016/02/2026 previsto
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Si SMD/SMT TC252-3-313 P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 12.3 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 45 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 3.916A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 73 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 16.327A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 70 A 9.5 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 71 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 16.985A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 80 A 8.7 mOhms - 16 V, 5 V 1.5 V 63 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 3.719A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 90 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 100 nC - 55 C + 175 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 6.208A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 90 A 4.1 mOhms - 16 V, 5 V 1.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 6.911A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 118 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPB80P04P405ATMA2
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 2.381A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3-2 P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 116 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 1.173A magazzino
2.50002/03/2026 previsto
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Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 135 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape