Risultati: 18
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 10A magazzino
5.00009/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT SuperSO-8 N-Channel 1 Channel 120 V 62 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 15.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 14.631A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8FL N-Channel 1 Channel 120 V 163 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 46 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 17.883A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 63 A 10.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 1.591A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 120 V 203 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 4.752A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 1.250A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 120 V 222 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 70 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 3.616A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 170 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 5.876A magazzino
5.00002/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 86 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 6.745A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT SuperSO-8 N-Channel 1 Channel 120 V 85 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 402A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 120 V 167 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 113A magazzino
7.20031/12/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 369A magazzino
1.80009/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 297A magazzino
5.00015/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 194 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 340A magazzino
5.00001/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 24 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
25.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 62 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
7.49515/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 24 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 3.6 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPB035N12NM6ATMA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V Tempo di consegna, se non a magazzino 17 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 120 V 138 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 58 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement Reel
Infineon Technologies IPB133N12NM6ATMA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V Tempo di consegna, se non a magazzino 17 settimane
Min: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

Si Reel