NTK3139P MOSFET di potenza singolo canale P

Il MOSFET di potenza singolo a canale P NTK3139P di onsemi è disponibile in un package SOT-723 compatto con protezione ESD integrata. Il package SOT-723 ha un ingombro inferiore del 44% ed è più sottile del 38% rispetto a un package SC-89. La tensione drain-to-source (V_DSS) è valutata a -20 V e ha una corrente di drain continua (I_D) nominale di -780 mA (T_A = +25 °C). L'onsemi NTK3139P presenta un basso livello di soglia che consente una valutazione _RDS(attiva) 1,5 V (_VGS = 1,5 V I_D = -100 mA) di 0,95 Ω (tipico). Il dispositivo onsemi può funzionare con un gate drive a basso livello logico. Le applicazioni tipiche includono la commutazione di carico/alimentazione, l'interfacciamento (commutazione logica) e la gestione della batteria per dispositivi elettronici portatili ultracompatti.