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DS28E80Q+T

Name: Analog Devices Inc. DS28E80Q+T
Brand: Analog Devices / Maxim Integrated
SKU: 700-DS28E80Q+T
Price: 2.49 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

700-DS28E80Q+T

N. produttore:

DS28E80Q+T

Produttore:

Analog Devices / Maxim Integrated

Descrizione:

EEPROM 2KB RAD TOL 1-W FTP MEM TDFN T&R

Scheda dati:

DS28E80Q+T Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,49 €	2,49 €
	2,25 €	22,50 €
	2,20 €	55,00 €
	2,14 €	107,00 €
	2,09 €	209,00 €
	2,02 €	505,00 €
	1,98 €	990,00 €
	1,96 €	1.960,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	1,87 €	4.675,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Analog Devices Inc.
Categoria prodotto:	EEPROM
RoHS::
Dimensioni memoria:	2 kbit
Tipo di interfaccia:	1-Wire
Organizzazione:	256 x 8
Package/involucro:	TDFN-6
Tensione di alimentazione - Min.:	2.97 V
Tensione di alimentazione - Max.:	3.63 V
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Conservazione dei dati:	10 Year
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 85 C
Serie:	DS28E80
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Lettura corrente attiva - Massima:	12 mA
Marchio:	Analog Devices / Maxim Integrated
Tensione di alimentazione di lavoro:	3.3 V
Tipo di prodotto:	EEPROM
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Memory & Data Storage
Corrente di alimentazione - Max:	12 mA
Peso unità:	50 mg

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Scheda dati

DS28E80Q+T Scheda dati (PDF)

Application Notes

RoHS Certificate (PDF)

TARIC:: 8542327500
CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
JPHTS:: 854232039
KRHTS:: 8542321090
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Chip di memoria a 1 filo DS28E80

Il chip DS28E80 di Maxim è un chip di memoria non volatile programmabile dall'utente. Contrariamente alle celle di memoria floating gate, il DS28E80 utilizza una tecnologia di celle di memoria resistente alle radiazioni gamma. Dispone di una memoria utente di 248 byte organizzata in blocchi di 8 byte ciascuno. I blocchi individuali possono essere protetti contro la scrittura. Ogni blocco di memoria può essere scritto 8 volte. DS28E80 comunica tramite il bus a contatto singolo 1-Wire® a velocità standard o velocità di overdrive. Ogni dispositivo ha un proprio numero di registrazione unico da 64 bit che viene programmato in fabbrica all'interno del chip. La comunicazione segue il protocollo a 1 filo con un numero di registrazione di 64 bit che funge da indirizzo di nodi in caso di rete a 1 filo per dispositivo multiplo.
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