RQ3L060BGTB1

ROHM Semiconductor
755-RQ3L060BGTB1
RQ3L060BGTB1

Produttore:

Descrizione:
MOSFET HSMT8 N-CH 60V 15.5A

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ROHM Semiconductor
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
HSMT-8
N-Channel
1 Channel
60 V
15.5 A
38 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
5.5 nC
- 55 C
+ 150 C
14 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marchio: ROHM Semiconductor
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 4.8 ns
Transconduttanza diretta - Min: 4 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 4.3 ns
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 18.5 ns
Tipico ritardo di accensione: 7.4 ns
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TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET di potenza RQ3L060BG

Il MOSFET di potenza RQ3L060BG di ROHM Semiconductor presenta una tensione drain-source (VDSS) 60 V e una corrente di drain continua ±15,5 A. Questo MOSFET a canale N offre bassa resistenza in conduzione 38 mΩ (RDS (on)) e dissipazione di potenza di 14 W. Il MOSFET RQ3L060BG opera nell’intervallo di temperatura di conservazione e giunzione da -55 °C a 150 °C ed è disponibile in un package a stampo piccolo (HSMT8) privo di alogeni e ad alta potenza. Questo dispositivo conforme a RoHS incorpora la placcatura senza piombo. Le applicazioni tipiche includono commutazione, unità motore e convertitori CC/CC.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.