MOSFET SiC – Mouser Italia

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Immagine	Codice	Produttore	Descrizione	Scheda dati	Disponibilità	Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.	Qtà	Stile di montaggio	Package/involucro	Numero di canali	Vds - Tensione di rottura drain-source	Id - corrente di drain continua	Rds On - Drain-source sulla resistenza	Vgs - Tensione gate-source	Vgs th - Tensione di soglia gate-source	Qg - Carica del gate	Temperatura di lavoro minima	Temperatura di lavoro massima	Pd - Dissipazione di potenza	Modalità canale	Qualifica
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package SCT027H65G3AG STMicroelectronics 1: 11,70 € 454A magazzino 1.000In ordine	Produttore Codice prodotto SCT027H65G3AG Codice Mouser 511-SCT027H65G3AG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Scheda dati	454A magazzino 1.000In ordine	Nastro continuo 11,70 € 6,66 € 6,64 € Nastrati 6,28 €	Min: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	60 A	39.3 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	48.6 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4 STMicroelectronics 1: 9,71 € 457A magazzino	Produttore Codice prodotto SCT040W65G3-4 Codice Mouser 511-SCT040W65G3-4	STMicroelectronics	MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Scheda dati	457A magazzino	9,71 € 5,31 € 4,86 €	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4AG STMicroelectronics 1: 11,42 € 429A magazzino	Produttore Codice prodotto SCT040W65G3-4AG Codice Mouser 511-SCT040W65G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Scheda dati	429A magazzino	11,42 € 8,51 € 7,10 € 6,32 € 5,90 €	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package SCT055TO65G3 STMicroelectronics 1: 8,64 € 1.394A magazzino	Produttore Codice prodotto SCT055TO65G3 Codice Mouser 511-SCT055TO65G3	STMicroelectronics	MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Scheda dati	1.394A magazzino	Nastro continuo 8,64 € 5,90 € 4,87 € 4,33 € 4,06 € Nastrati 4,06 €	Min: 1 Mult.: 1 : 1.800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A SCT040H65G3AG STMicroelectronics 1: 11,32 € 519A magazzino 1.00002/07/2027 previsto	Produttore Codice prodotto SCT040H65G3AG Codice Mouser 511-SCT040H65G3AG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Scheda dati	519A magazzino 1.00002/07/2027 previsto	Nastro continuo 11,32 € 8,44 € 7,03 € 6,26 € Nastrati 5,86 € MouseReel disponibile	Min: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	30 A	40 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	39.5 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3AG STMicroelectronics 1: 14,16 € 6A magazzino 1.00024/09/2027 previsto	Produttore Codice prodotto SCT018H65G3AG Codice Mouser 511-SCT018H65G3AG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Scheda dati	6A magazzino 1.00024/09/2027 previsto	Nastro continuo 14,16 € 8,49 € Nastrati 7,93 € MouseReel disponibile	Min: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package SCT040TO65G3 STMicroelectronics 1: 9,65 € 8A magazzino 1.80005/02/2027 previsto	Produttore Codice prodotto SCT040TO65G3 Codice Mouser 511-SCT040TO65G3	STMicroelectronics	MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Scheda dati	8A magazzino 1.80005/02/2027 previsto	Nastro continuo 9,65 € 6,82 € 5,68 € 5,07 € 4,73 € Nastrati 4,73 €	Min: 1 Mult.: 1 : 1.800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	35 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	42.5 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics 1: 16,06 € 60005/11/2027 previsto	Produttore Codice prodotto SCT018W65G3-4AG Codice Mouser 511-SCT018W65G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package	Scheda dati	60005/11/2027 previsto	16,06 € 12,24 € 10,20 € 8,49 €	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	77 nC	- 55 C	+ 200 C	398 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055W65G3-4AG STMicroelectronics 1: 10,10 € 60013/08/2027 previsto	Produttore Codice prodotto SCT055W65G3-4AG Codice Mouser 511-SCT055W65G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets	Scheda dati	60013/08/2027 previsto	10,10 € 7,30 € 6,09 € 5,43 €	Min: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	32 nC	- 55 C	+ 200 C	210 W	Enhancement	AEC-Q100
MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3-7 STMicroelectronics 1: 13,55 € Tempo di consegna, se non a magazzino 25 settimane Nuovo prodotto	Produttore Codice prodotto SCT018H65G3-7 Codice Mouser 511-SCT018H65G3-7 Nuovo prodotto	STMicroelectronics	MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Maggiori informazioni su STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Scheda dati	Tempo di consegna, se non a magazzino 25 settimane	Nastro continuo 13,55 € 8,03 € Nastrati 7,60 €	Min: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 10 V, 22 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement

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