Moduli di potenza EliteSiC NVXR22S90M2SPx

I  moduli di potenza EliteSiC NVXR22S90M2SPx di   onsemi offrono prestazioni, efficienza e densità di potenza migliorate in un package compatto e compatibile. I moduli NVXR22S90M2SPx di onsemi  sono dotati di un MOSFET SiC da900 V in una configurazione a sei pacchetti, con pin montati a pressione per un facile assemblaggio e una maggiore affidabilità. I dispositivi includono un dissipatore di calore pin-fin ottimizzato sulla piastra di base e utilizzano la tecnologia di sinterizzazione per affidabilità ed efficienza termica. Il modulo è progettato per soddisfare lo standard automobilistico AQG324.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Serie
Confezione
onsemi Moduli MOSFET SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPB
Scheda dati
4A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 510 A 2.7 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 900 W NVXR22S90M2SPB Tray
onsemi Moduli MOSFET SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPC
Scheda dati
3A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 510 A 2.7 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 900 W NVXR22S90M2SPC Tray
onsemi Moduli MOSFET SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPM 4A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC SMD/SMT 900 V 510 A 2.7 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 900 W Tray