Transistori bipolari DXTN/P 78Q & 80Q

I transistori bipolari DXTN/P 78Q e 80Q di Diodes Incorporated offrono una tensione nominale di 30 V, 60 V e 100 V, e garantiscono un'efficienza di conduzione eccezionale e prestazioni termiche elevate per la commutazione e il controllo di potenza nel settore automobilistico. I transistori bipolari NPN e PNP a bassissimo VCE(SAT) sono ideali per sistemi a 12 V, 24 V e 48 V, e supportano applicazioni come l'azionamento del gate di MOSFET e IGBT, la commutazione di carico, la regolazione LDO, la conversione DC-DC e il comando dell'attuatore.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione base-collettore VCBO
Tensione emettitore-base VEBO
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Pd - Dissipazione di potenza
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Qualifica
Serie
Confezione
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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1.393A magazzino
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 140 mV 2.4 W 260 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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1.393A magazzino
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 135 mV 2.4 W 250 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 210 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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1.592A magazzino
2.00008/04/2026 previsto
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 120 mV 2.4 W 130 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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3.880A magazzino
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 100 mV 2.4 W 140 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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1.592A magazzino
2.00020/04/2026 previsto
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 125 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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1.393A magazzino
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 170 mV 2.4 W 315 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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1.393A magazzino
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 220 mV 2.4 W 320 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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1.393A magazzino
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 165 mV 2.4 W 290 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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3.785A magazzino
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 130 mV 2.4 W 190 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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1.588A magazzino
2.00029/04/2026 previsto
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 290 mV 2.4 W 180 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
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1.592A magazzino
2.00008/05/2026 previsto
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Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 180 mV 2.4 W 160 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape