HMC8500 RF Amplifiers

Analog Devices Inc. HMC8500 RF Amplifiers are gallium nitride (GaN), broadband power amplifiers. The amplifiers deliver >10W with up to 55% power added efficiency (PAE) and ±1.0dB typical gain flatness across a 0.01GHz to 2.8GHz instantaneous bandwidth. The HMC8500 series provides a 41dBm high-saturated output power from a 28V at 100mA supply voltage. In addition, the amplifiers offer a 4.5dB noise figure, 47dBM third-order intercept (OIP3), and 10dB return loss.

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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Frequenza di lavoro
Tensione di alimentazione di lavoro
Corrente di alimentazione operativa
Guadagno
NF - Cifra di rumore
Tipo
Stile di montaggio
Package/involucro
Tecnologia
OIP3 - Intercetta del terzo ordine
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
Analog Devices Amplificatori RF High Power GaN Amps- 10W 1 - 2.5GHz PA
Scheda dati
Tempo di consegna 10 settimane
Min: 1
Mult.: 1

10 MHz to 2.8 GHz 28 V 100 mA 15 dB 4.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN 47 dBm - 40 C + 85 C HMC8500 Cut Tape
Analog Devices Amplificatori RF High Power GaN Amps- 10W 1 - 2.5GHz PA
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 10 settimane
Min: 500
Mult.: 500
Nastrati: 500

10 MHz to 2.8 GHz 28 V 100 mA 15 dB 4.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN 47 dBm - 40 C + 85 C HMC8500 Reel