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NVBLS1D7N10MCTXG

Name: onsemi NVBLS1D7N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D7N10MCTXG
Price: 5.98 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NVBLS1D7N10MCTXG

N. produttore:

NVBLS1D7N10MCTXG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET PTNG 100V STD TOLL

Scheda dati:

NVBLS1D7N10MCTXG Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	5,98 €	5,98 €
	4,15 €	41,50 €
	3,10 €	310,00 €
	3,09 €	3.090,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)
	2,64 €	5.280,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	H-PSOF-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	265 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.8 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	115 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	303 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	PowerTrench
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	31 ns
Transconduttanza diretta - Min:	220 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	38 ns
Serie:	NVBLS1D7N10MC
Quantità colli di fabbrica:	2000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	76 ns
Tipico ritardo di accensione:	48 ns

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Scheda dati

NVBLS1D7N10MCTXG Scheda dati

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
ECCN:: EAR99

MOSFET PowerTrench® a canale N NVBLS1D7N10MCTXG

Il MOSFET PowerTrench^®NVBLS1D7N10MCTXG a canale N di Onsemi fornisce elevate prestazioni termiche e un basso R_DS(on) per minimizzare le perdite di conduzione. Il NVBLS1D7N10MCTXG è qualificato AEC-Q101 e PPAP, ideale per applicazioni per il settore automobilistico.