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NTTFS007P02P8

Name: onsemi NTTFS007P02P8
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS007P02P8
Price: 1.01 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTTFS007P02P8

N. produttore:

NTTFS007P02P8

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

NTTFS007P02P8 Scheda dati

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	0,657 €	6,57 €
	0,544 €	54,40 €
	0,522 €	261,00 €
	0,504 €	504,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PQFN-8
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	56 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	6.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1 V
Qg - Carica del gate:	44 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	30 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	TH
Tempo di caduta:	68 ns
Transconduttanza diretta - Min:	80 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	33 ns
Serie:	NTTFS007P02P8
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	119 ns
Tipico ritardo di accensione:	19 ns

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NTTFS007P02P8 Scheda dati

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8

Il MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8 di onsemi è costruito con la tecnologia PowerTrench ad alte prestazioni per prestazioni di commutazione a R_DS(on)estremamente bassa e robustezza. Questo MOSFET a canale P offre elevata potenza e capacità di gestione della corrente in un package a montaggio superficiale ampiamente utilizzato. Il MOSFET NTTFS007P02P8 presenta una tensione drain-to-source di -20 V, una tensione gate-to-source di ±8 V, una resistenza termica, giunzione-involucro, di 3,8 °C/W e una resistenza di gate di 4,5 Ω. Questo MOSFET a canale P è senza piombo, privo di alogenuri e conforme alla direttiva RoHS. Applicazioni tipiche includono: interruttori di carico, gestione della batteria, gestione dell'alimentazione e protezione contro la polarità inversa.