BSSx N-Channel & P-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor BSSx N-Channel and P-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. The BSSx power MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Taiwan Semiconductor MOSFET 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET
Scheda dati
3.875A magazzino
9.00020/05/2026 previsto
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 260 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.6 V 1 nC - 55 C + 150 C 357 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET -60, -0.15, Single P-Channel
Scheda dati
1.377A magazzino
6.000In ordine
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 150 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 1.9 nC - 55 C + 155 C 357 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET -60, -0.14, Single P-Channel
Scheda dati
3.283A magazzino
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Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 140 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 1.9 nC - 55 C + 155 C 298 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET
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14.264In ordine
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Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 298 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel