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NVMFWS004N10MCT1G

Name: onsemi NVMFWS004N10MCT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS004N10MCT1G
Price: 3.48 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-VMFWS004N10MCT1G

N. produttore:

NVMFWS004N10MCT1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET PTNG 100V STD SO8FL

Scheda dati:

NVMFWS004N10MCT1G Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-5
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	138 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	3.9 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	48 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	164 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	13 ns
Transconduttanza diretta - Min:	120 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	18 ns
Serie:	NVMFWS004N10MC
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	39 ns
Tipico ritardo di accensione:	25 ns

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Scheda dati

NVMFWS004N10MCT1G Scheda dati

PCN

Material Composition Disclosure

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Malesia
Paese di origine dell'assemblaggio:: Malesia
Paese di diffusione:: Repubblica di Corea

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFWS004N10MC

I MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFWS004N10MC di onsemi forniscono una corrente di drain continua di 138 A, 3,9 mΩ a 10 V R_DS(ON) e tensione drain-to-source di 100 V. NVMFWS004N10MC è disponibile in un package con conduttori piatti da 5 mm x 6 mm sviluppato per progetti compatti ed efficienti. Il MOSFET qualificato AEC-Q101 onsemi è compatibile con PPAP e ideale per applicazioni del settore automotive.

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NVMFWS004N10MCT1G

Produttore: onsemi

Descrizione: MOSFET PTNG 100V STD SO8FL

Caratteristiche tecniche

Documenti (3)

Scheda dati

PCN

Documenti ambientali

Conformità commerciale e del prodotto

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