MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVH4L050N170M1

I MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVH4L050N170M1 di onsemi offrono prestazioni eccezionali con una RDS(on) tipica di 53 mΩ a VGS = 20 V. I MOSFET NVH4L050N170M1 di onsemi sono ottimizzati per un gate drive di 20 V. I dispositivi funzionano efficacemente anche con un gate drive da 18 V presentano un driver di tensione di gate negativo e picchi di spegnimento ridotti. Questi dispositivi offrono una carica totale del gate estremamente bassa (105 nC), commutazione ad alta velocità con bassa capacità elettrica (Coss = 98 pF) e test di affidabilità al 100% con valanga.

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