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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Modalità canale Confezione
Texas Instruments MOSFET N-channel 5V enhance ment mode field effe
1.00003/06/2026 previsto
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 6 V 1.4 A 3 Ohms 7 V 950 mV 34 pC - 40 C + 125 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET N-channel 5V enhance ment mode field effe Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 6 V 1.4 A 3 Ohms 7 V 950 mV 34 pC - 40 C + 125 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET N-channel 5V enhance ment mode field effe Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane
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: 3.000

Si SMD/SMT SC-70-3 N-Channel 1 Channel 6 V 1.4 A 3 Ohms 7 V 950 mV 34 pC - 40 C + 125 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel