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CGHV40200PP

Name: MACOM CGHV40200PP
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV40200PP
Price: 518.55 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

941-CGHV40200PP

N. produttore:

CGHV40200PP

Produttore:

MACOM

Descrizione:

GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt

Scheda dati:

CGHV40200PP Scheda dati (PDF)

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	518,55 €	518,55 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	MACOM
Categoria prodotto:	GaN FETs
Limitazioni per la spedizione:	Potrebbe essere necessaria della documentazione aggiuntiva per esportare questo prodotto dagli Stati Uniti.
RoHS::
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	440199
Polarità transistor:	N-Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	8.7 A
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	- 3 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	166 W
Marchio:	MACOM
Configurazione:	Single
Kit di sviluppo:	CGHV40200PP-AMP1
Guadagno:	16.1 dB
Frequenza di lavoro massima:	1.9 GHz
Frequenza di lavoro minima:	1.7 GHz
Potenza di uscita:	250 W
Confezione:	Tray
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	25
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tensione di rottura gate-source:	- 10 V, 2 V

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Scheda dati

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PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

CGHV40200PP GaN HEMT

MACOM CGHV40200PP Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) operates from a 50V rail and offers a broadband solution to RF and microwave applications. This transistor provides high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, making it ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CGHV40200PP GaN HEMT is available in a 4-lead flange package. Typical applications include 2-way radio, broadband amplifiers, radar amplifiers, and test instrumentation.