U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Nome commerciale
Confezione
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
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1.681A magazzino
9.000In ordine
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: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 43 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 2 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-Signal MOSFET
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9.517A magazzino
45.00028/08/2026 previsto
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 170 mA 3.9 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 270 pC + 150 C 700 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal Nch MOSFET ID:0.4A
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23.019A magazzino
18.00024/08/2026 previsto
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 900 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID=0.4A VDSS=60V
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42.578A magazzino
48.00022/01/2027 previsto
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET VDSS=60V, ID=0.15A
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11.888A magazzino
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: 10.000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 60 V 150 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 350 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET
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7.700A magazzino
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: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 1 Channel 40 V 1.8 A 400 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 1.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, TSOP6F
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2.086A magazzino
6.000In ordine
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: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 171 mOhms 20 V 2.1 V 1.84 nC + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape

Toshiba MOSFET 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm @ 1.8V
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4.135A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 108 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A
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973A magazzino
3.00025/09/2026 previsto
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: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 108 mOhms, 157 mOhms - 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V 400 mV, 500 mV 3.6 nC, 6.74 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H / U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A
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237A magazzino
6.00002/10/2026 previsto
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Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 20 V 4 A 108 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
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5.297A magazzino
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: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4 A 84 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET
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41.499A magazzino
96.00021/08/2026 previsto
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 200 mA 3.9 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 270 pC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET 2in1 ESD Protected
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999.159In ordine
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 300 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF
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59.99921/08/2026 previsto
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
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49.49021/08/2026 previsto
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: 3.000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm
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192.000In ordine
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: 8.000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 30 V, 4.0 A, 0.056Ohm@4.5V, DFN2020B(WF)
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65.90011/09/2026 previsto
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Si SMD/SMT DFN2020B-6 N-Channel 1 Channel 30 V 10 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET
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11.97604/09/2026 previsto
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Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 9 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET UDFN6B N-CH 30V 6A
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8.99816/10/2026 previsto
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: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel