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RV4E031RPHZGTCR1

Name: ROHM Semiconductor RV4E031RPHZGTCR1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RV4E031RPHZGTCR1
Price: 0.26 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

755-RV4E031RPHZGTCR1

N. produttore:

RV4E031RPHZGTCR1

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET AECQ

Scheda dati:

RV4E031RPHZGTCR1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-1616-6W
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	3.1 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	105 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	4.8 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.5 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	JP
Tempo di caduta:	18 ns
Transconduttanza diretta - Min:	1.5 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	22 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	35 ns
Tipico ritardo di accensione:	7 ns
Alias n. parte:	RV4E031RPHZG

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET per piccoli segnali HZG RV4E031RP

Il MOSFET per piccoli segnali HZG RV4E031RP di ROHM Semiconductor presenta bassa resistenza in conduzione, un piccolo package a potenza elevata e un driver a bassa tensione. Questo MOSFET è testato al 100% UIS e include una flangia bagnabile per l'ispezione automatica della saldatura ottica (AOI). Il MOSFET di segnale HZG RV4E031RP opera in un intervallo di temperatura di giunzione e di temperatura di conservazione da° -55 °C a 150 °°C. Questo MOSFET offre una tensione drain-source di -30 V, ±una corrente di drain continua di 3,1 a e una dissipazione di potenza di 1,5 W. Le applicazioni tipiche includono circuiti di commutazione, interruttore di carico a monte e driver di linea ad alta velocità.