MMFTP3334K P-Channel Enhancement Mode FET

Diotec Semiconductor MMFTP3334K P-Channel Enhancement Mode FET offers fast switching times, high drain current (4A maximum), and low on-state resistance in a SOT-23 (TO-236) package. The MMFTP3334K FET features a 30V maximum drain-source voltage, 1000mW maximum power dissipation, and 5.9nC typical total gate charge in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET is ideal for signal processing, drivers, and logic-level converters.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Nome commerciale
Confezione
Diotec Semiconductor MOSFET MOSFET, SOT-23, -30V, -4A, 150C, P
Scheda dati
7.194A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SOT-23 MMFTP3334K Reel, Cut Tape
Diotec Semiconductor MOSFET MOSFET, SOT-23, -30V, -4A, 150C, P, AEC-Q101
Scheda dati
5.867A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23 P-Channel 1 Channel 30 V 4 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MMFTP3334K-AQ Reel, Cut Tape, MouseReel