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FF06MR12A04MA2AKSA1

Name: Infineon FF06MR12A04MA2AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF06MR12A04MA2AK
Price: 201.17 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

726-FF06MR12A04MA2AK

N. produttore:

FF06MR12A04MA2AKSA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

Moduli a semiconduttori discreti HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

FF06MR12A04MA2AKSA1 Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	201,17 €	201,17 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	Moduli a semiconduttori discreti
RoHS::
Prodotto:	Modules
Tipo:	1 N-Channel
Tecnologia:	SiC
Vf - Tensione diretta:	5.15 V
Vgs - Tensione gate-source:	- 5 V, + 20 V
Stile di montaggio:	Press Fit
Package/involucro:	HybridPACK
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	53 ns
Id - corrente di drain continua:	190 A
Tipo di prodotto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	14.5 mOhms
Tempo di salita:	25 ns
Quantità colli di fabbrica:	120
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Nome commerciale:	CoolSiC
Polarità transistor:	N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	228 ns
Tipico ritardo di accensione:	32 ns
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.55 V
Alias n. parte:	FF06MR12A04MA2 SP005558866

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Scheda dati

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TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Moduli HybridPACK™ DSC S con MOSFET SiC e NTC

Infineon Technologies HybridPACK™ I moduli DSC S con SiC MOSFET e NTC sono moduli di potenza ad alte prestazioni progettati per applicazioni per il settore automobilistico impegnativi, in particolare in ibrido e veicoli elettrici (xEV). Questo modulo half-bridge compatto integra MOSFET al carburo di silicio (SiC) e un termistore NTC consentendo efficienza e prestazioni termiche superiori. Con una tensione di blocco di 1.200 V e una corrente nominaledi 190 A i moduli supportano la commutazione ad alta velocità con basse perdite di conduzione e commutazione, grazie ai vantaggi intrinseci della tecnologia SiC.