Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

FF06MR12A04MA2AKSA1

Name: Infineon FF06MR12A04MA2AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF06MR12A04MA2AK
Price: 140.46 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

726-FF06MR12A04MA2AK

N. produttore:

FF06MR12A04MA2AKSA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

Moduli a semiconduttori discreti HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

FF06MR12A04MA2AKSA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Infineon Technologies FF06MR12A04MA2AKSA1

A magazzino: 120

A magazzino:: 120 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 44 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Per questo prodotto la spedizione è GRATUITA

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	140,46 €	140,46 €
	138,30 €	1.383,00 €
600	Offerta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	Moduli a semiconduttori discreti
RoHS::
Prodotto:	Modules
Tipo:	1 N-Channel
Tecnologia:	SiC
Vf - Tensione diretta:	5.15 V
Vgs - Tensione gate-source:	- 5 V, + 20 V
Stile di montaggio:	Press Fit
Package/involucro:	HybridPACK
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	AT
Tempo di caduta:	53 ns
Id - corrente di drain continua:	190 A
Tipo di prodotto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	14.5 mOhms
Tempo di salita:	25 ns
Quantità colli di fabbrica:	120
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Nome commerciale:	CoolSiC
Polarità transistor:	N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	228 ns
Tipico ritardo di accensione:	32 ns
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.55 V
Alias n. parte:	FF06MR12A04MA2 SP005558866

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

FF06MR12A04MA2AKSA1 Scheda dati (PDF)

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Moduli HybridPACK™ DSC S con MOSFET SiC e NTC

Infineon Technologies HybridPACK™ I moduli DSC S con SiC MOSFET e NTC sono moduli di potenza ad alte prestazioni progettati per applicazioni per il settore automobilistico impegnativi, in particolare in ibrido e veicoli elettrici (xEV). Questo modulo half-bridge compatto integra MOSFET al carburo di silicio (SiC) e un termistore NTC consentendo efficienza e prestazioni termiche superiori. Con una tensione di blocco di 1.200 V e una corrente nominaledi 190 A i moduli supportano la commutazione ad alta velocità con basse perdite di conduzione e commutazione, grazie ai vantaggi intrinseci della tecnologia SiC.