Driver MOSFET GaN a mezzo ponte da 100 V MP1918
I driver MOSFET GaN a mezzo ponte MP1918 da 100 V di Monolithic Power Systems (MPS) sono progettati per pilotare FET al nitruro di gallio (GaN) ad arricchimento o MOSFET a canale N. MP1918 di Monolithic Power Systems (MPS) presenta ingressi PWM indipendenti a monte (HS) e a valle (LS) e utilizza una tecnica bootstrap per la tensione del driver HS. Il dispositivo funziona fino a 100 V e include una tecnologia di carica che impedisce alla tensione del driver HS di superare la VCC, proteggendo il gate dal superamento della tensione massima gate-source dei FET GaN.
