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FDB0250N807L

Name: onsemi FDB0250N807L
Brand: onsemi
SKU: 512-FDB0250N807L
Price: 6.17 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

512-FDB0250N807L

N. produttore:

FDB0250N807L

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

Scheda dati:

FDB0250N807L Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 800)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	6,17 €	6,17 €
	4,12 €	41,20 €
	3,31 €	331,00 €
	2,94 €	1.470,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 800)
	2,61 €	2.088,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-263-7
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Id - corrente di drain continua:	240 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	143 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	214 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	PowerTrench
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	39 ns
Transconduttanza diretta - Min:	113 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	64 ns
Serie:	FDB0250N807L
Quantità colli di fabbrica:	800
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	79 ns
Tipico ritardo di accensione:	45 ns
Peso unità:	1,600 g

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Scheda dati

FDB0250N807L Scheda dati (PDF)

PCN

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Repubblica di Corea
Paese di origine dell'assemblaggio:: Cina
Paese di diffusione:: Repubblica di Corea

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

FDB0250N807L N-Channel MOSFET

onsemi FDB0250N807L N-Channel MOSFET uses the advanced PowerTrench^® process to minimize the on-state resistance. This process maintains superior ruggedness and switching performance for industrial applications. Features include fast switching speed, low gate charge, high power and current handling capability. The FDB0250N807L MOSFET is used in the industrial motor drives, power supplies, battery-operated tools, load switches, UPS, and energy inverters.