R6004PND3FRATL

ROHM Semiconductor
755-R6004PND3FRATL
R6004PND3FRATL

Produttore:

Descrizione:
MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 1st Gen, for Auto

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
ROHM Semiconductor
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
600 V
4 A
1.8 Ohms
- 25 V, 25 V
4.5 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
65 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: ROHM Semiconductor
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 39 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 28 ns
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 44 ns
Tipico ritardo di accensione: 23 ns
Alias n. parte: R6004PND3FRA
Peso unità: 330 mg
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Semiconductors prior approval.

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Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales
Representative for further assistance.

5-0617-50

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET per il settore automobilistico a canale N da 600 V R6004PND3FRA

Il MOSFET per il settore automobilistico a canale N R6004PND3FRA 600 V di ROHM Semiconductor è un MOSFET a bassa resistenza in conduzione con una velocità di commutazione elevata. Questo MOSFET di ROHM Semiconductor incorpora circuiti di azionamento semplici ed è qualificato AEC-Q101. Il MOSFET R6004PND3TRA offre una resistenza della sorgente di drenaggio di 1,8 Ω (RDS(on)), corrente di drain continua (ID) di ±4A, e dissipazione di potenza di 65W (PD). Questo MOSFET è ideale per alimentatori a commutazione.