MOSFET di potenza a canale N singolo NVTFS6H860NL
Il MOSFET di potenza a canale N singolo NVTFS6H860NL di onsemi è disponibile in formato compatto e design efficienti con prestazioni termiche elevate. Questo MOSFET presenta bassa resistenza drain-to-source (RDS(on)) per minimizzare le perdite di conduzione e bassa capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver. Il MOSFET NVTFS6H860NL è certificato AEC-Q101 e compatibile con PPAP. Questo MOSFET di onsemi è disponibile in un package da 3,3 mm x 3,3 mm. Le applicazioni tipiche includono protezione contro l'inversione della batteria, interruttori di alimentazione (driver high-side, driver low-side e ponti H) e alimentatori di commutazione.
