FET SuperGaN® 650 V TP65H035G4YS

Il transistor a effetto di campo (FET) SuperGaN® 650 V TP65H035G4YS di Renesas Electronics è un FET al nitruro di gallio (GaN) da 35mΩ, disponibile in un package TO-247 a quattro conduttori. Questo dispositivo normalmente spento utilizza la piattaforma Gen IV di Renesas Electronics e combina un HEMT GaN ad alto voltaggio con un MOSFET al silicio a basso voltaggio, con il risultato di affidabilità e prestazioni superiori. La piattaforma SuperGaN Gen IV utilizza tecnologie di progettazione epi avanzate e brevettate per semplificare la producibilità. La piattaforma migliora anche l'efficienza rispetto al silicio, grazie a una carica di gate inferiore, perdite di crossover, capacità di uscita e carica di recupero inverso. Questo dispositivo SuperGaN a 4 conduttori TP65H035G4YS può essere utilizzato come opzione di progettazione originale o come sostituto diretto per soluzioni al silicio e SiC a quattro terminali che supportano alimentatori da 1 kW e superiori. Le applicazioni ideali per il FET SuperGaN da 650 V di Renesas Electronics includono comunicazione dati, applicazioni industriali, inverter fotovoltaici e servomotori.