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BGA5H1BN6E6327XTSA1

Name: Infineon BGA5H1BN6E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGA5H1BN6E6327XT
Price: 0.5 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-BGA5H1BN6E6327XT

N. produttore:

BGA5H1BN6E6327XTSA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

Amplificatori RF RF MMIC SUB 3 GHZ

Scheda dati:

BGA5H1BN6E6327XTSA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	0,507 €	0,51 €
	0,433 €	4,33 €
	0,409 €	10,23 €
	0,373 €	37,30 €
	0,353 €	88,25 €
	0,336 €	168,00 €
	0,302 €	302,00 €
	0,259 €	1.036,00 €
	0,233 €	1.864,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 12000)
	0,233 €	2.796,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	Amplificatori RF
RoHS::
Frequenza di lavoro:	2.3 GHz to 2.69 GHz
Tensione di alimentazione di lavoro:	1.5 V to 3.6 V
Corrente di alimentazione operativa:	8.5 mA
Guadagno:	18 dB
NF - Cifra di rumore:	0.7 dB
Tipo:	Low Noise Amplifiers
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TSNP-6
Tecnologia:	SiGe
P1dB - Punto di compressione:	- 16 dBm
OIP3 - Intercetta del terzo ordine:	- 6 dBm
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 85 C
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Infineon Technologies
Perdita di ritorno di ingresso:	10 dB
dB isolamento:	36 dB
Numero di canali:	1 Channel
Pd - Dissipazione di potenza:	60 mW
Tipo di prodotto:	RF Amplifier
Quantità colli di fabbrica:	12000
Sottocategoria:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frequenza di test:	2.5 GHz
Alias n. parte:	BGA 5H1BN6 E6327 SP001777994
Peso unità:	0,830 mg

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Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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TARIC:: 8542330000
CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

BGA5x1BN6 Low-noise Amplifiers

Infineon Technologies BGA5x1BN6 Amplifier product family includes +18dBm high-gain, low-noise amplifiers that cover the low (600-1000MHz) mid (1805-2200MHz), and high-band (2300-2690MHz) frequency ranges. Based on Infineon Technologies‘ B9HF Silicon Germanium technology, the BGA5x1BN6 Amplifiers operate from a 1.5V to 3.6V supply voltage and offer single-line two-state control. The amplifiers provide excellent low-noise performance and competitive insertion-loss levels. Designers can easily enable BGA5x1BN6's off-state mode by powering down the V_CC. Available in an ultra-small leadless package measuring only 0.7 x 1.1mm², the BGA5x1BN6 Amplifiers are ideal for smartphones running on the LTE or GSM network.

Basso rumore di amplificatore (LNA) ICs

I circuiti integrati per amplificatori a basso rumore (LNA) di Infineon Technologies incrementano la velocità di trasmissione dati e la qualità di ricezione dell'applicazione wireless utilizzando un segnale a bassissima potenza senza una significativa degradazione del rapporto segnale/rumore. La sensibilità potenziata del ricevitore migliora l'esperienza dell'utente e soddisfa i requisiti del mercato. Questi dispositivi altamente integrati in package miniaturizzati sono dotati di protezione ESD e consumi a bassa potenza, ideali per dispositivi mobili alimentati a batteria. Gli utenti di 4G/5G, GPS, TV mobili, Wi-Fi e dispositivi portatili FM godranno di una ricezione elevata dei dati, di una navigazione veloce/precisa e di uno streaming uniforme e di alta qualità anche nelle peggiori condizioni di ricezione.