Moduli di alimentazione IGBT4 ad alta velocità

I moduli di alimentazione IGBT4 ad alta velocità di Microchip Technology presentano bassa caduta di tensione, bassa corrente di dispersione e basse perdite di commutazione. Questi moduli operano a tensione collettore-emettitore (VCES) da 1200 V e forniscono induttanza molto bassa, emettitore/sorgente Kelvin per un facile azionamento e un ampio intervallo di temperature. I moduli IGBT4 presentano il vantaggio di essere convertitori ad alta efficienza che offrono prestazioni eccezionali a funzionamento ad alta frequenza, basso profilo e bassa resistenza termica da giunzione a dissipatore di calore. Questi moduli sono utilizzati in applicazioni come sistemi di alimentazione ad alta affidabilità, interruttori CA, convertitori CA/CC e CC/CA ad alta efficienza e controllo motore.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto Configurazione Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione di saturazione collettore-emettitore Collettore a corrente continua a 25 °C Corrente di perdita gate-emettitore Pd - Dissipazione di potenza Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima
Microchip Technology Moduli IGBT PM-IGBT-SBD-BL3 12A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Moduli IGBT PM-IGBT-SBD-BL1 9A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Moduli IGBT PM-IGBT-SBD-BL2 7A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Moduli IGBT PM-IGBT-SBD-BL1 9A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Moduli IGBT PM-IGBT-SBD-BL3 4A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Moduli IGBT PM-IGBT-SBD-BL2 6A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Moduli IGBT PM-IGBT-SBD-BL2
309/03/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C