Risultati: 7
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Collettore a corrente continua a 25 °C
Corrente di perdita gate-emettitore
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Microchip Technology Moduli IGBT PM-IGBT-SBD-BL3
Scheda dati
12A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Moduli IGBT PM-IGBT-SBD-BL3
Scheda dati
4A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Moduli IGBT PM-IGBT-SBD-BL2
Scheda dati
1A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Moduli IGBT PM-IGBT-SBD-BL1
Scheda dati
9A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Moduli IGBT PM-IGBT-SBD-BL2
Scheda dati
7A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Moduli IGBT PM-IGBT-SBD-BL1
Scheda dati
6A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Moduli IGBT PM-IGBT-SBD-BL2
Scheda dati
6A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C