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Transistor GaN di potenza RF Airfast A5G35S004N

Il transistor GaN di potenza RF Airfast A5G35S004N di NXP Semiconductors è progettato per applicazioni di stazioni base cellulari. Queste applicazioni includono quelle che coprono l'intervallo di frequenze da 3300 a 4300 MHz. Il transistor è alloggiato in un package termico e a basso profilo HLSON6.

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