PMZB350UPE,315

Nexperia
771-PMZB350UPE315
PMZB350UPE,315

Produttore:

Descrizione:
MOSFET PMZB350UPE/SOT883B/XQFN3

Modello ECAD:
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Nexperia
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
DFN-1006-3
P-Channel
2 Channel
20 V
1.4 A
940 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
1.3 nC
- 55 C
+ 150 C
715 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Nexperia
Paese di assemblaggio: Not Available
Paese di diffusione: Not Available
Paese di origine: MY
Tipo di prodotto: MOSFETs
Quantità colli di fabbrica: 10000
Sottocategoria: Transistors
Alias n. parte: 934066841315
Peso unità: 0,690 mg
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

PMZB350UPE 20V P-Channel Trench MOSFET

Nexperia PMZB350UPE 20V P-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode field-effect transistor (FET) in a leadless, ultra-small DFN1006B-3 (SOT883B) surface-mounted device (SMD) plastic package. The device employs Trench MOSFET technology, has a low threshold voltage, provides very fast switching, and offers 1.8kV ESD protection. The Nexperia PMZB350UPE MOSFET is ideal for relay drivers, high-speed line drivers, high-side load switches, and switching circuits.