Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

SIS176LDN-T1-GE3

Name: Vishay SIS176LDN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIS176LDN-T1-GE3
Price: 1.19 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

78-SIS176LDN-T1-GE3

N. produttore:

SIS176LDN-T1-GE3

Produttore:

Vishay / Siliconix

Descrizione:

MOSFET PPAK1212 N-CH 70V 12.9A

Scheda dati:

SIS176LDN-T1-GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Vishay / Siliconix SIS176LDN-T1-GE3

A magazzino: 763

A magazzino:: 763

Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
In ordine:: 12.000

19/03/2026 previsto

12.000

14/01/2027 previsto
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 24

settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,19 €	1,19 €
	0,758 €	7,58 €
	0,514 €	51,40 €
	0,411 €	205,50 €
	0,372 €	372,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,329 €	987,00 €
	0,32 €	1.920,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerPAK 1212-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	70 V
Id - corrente di drain continua:	42.3 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	10.9 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.6 V
Qg - Carica del gate:	12.6 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	39 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay / Siliconix
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	6 ns
Transconduttanza diretta - Min:	60 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	6 ns
Serie:	SIS
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	25 ns
Tipico ritardo di accensione:	10 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

SIS176LDN-T1-GE3 Scheda dati

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET PowerPak® 1212

I MOSFET PowerPAK ® 1212 di Vishay sono ideali per applicazioni di commutazione, vantano una resistenza in conduzione di circa 1 mΩ e sono in grado di gestire fino a 85 A. I MOSFET PowerPAK 1212 di Vishay incorporano una nuova tecnologia di packaging che riduce il rischio di deterioramento dei die ad alte prestazioni. Questo package offre un’impedenza termica ultrabassa in un design compatto, caratteristica che lo rende ideale per applicazioni con limitazioni di spazio.

SiS176LDN MOSFET a canale N da 70 V (D-S)

I MOSFET SiS176LDN a canale N da 70 V (D-S) di Vishay / Siliconix utilizzano la tecnologia TrenchFET® dei MOSFET di potenza di 4ª generazione. I MOSFET SiS176LDN sono caratterizzati da una cifra di merito (FOM) R_DS Q_g molto bassa e sono regolati sulla FOM R_DS Q_oss più bassa. I MOSFET SiS176LDN a canale N da 70 V (D-S) di Vishay/Siliconix sono ideali per applicazioni di raddrizzamento sincrono, interruttori lato primario, convertitori CC/CC e di interruttori per unità di azionamento.